IPP091N06N G Infineon Technologies | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 9.1mOhm @ 80A、10V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 130µA
系列 OptiMOS™	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 81 nC @ 10 V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2800 pF @ 30 V
零件狀態 DigiKey 停止供應	安裝類型通孔式
FET 類型 N 通道	供應商元件封裝 PG-TO220-3
技術 MOSFET (金氧)	封裝／外殼 TO-220-3
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	基礎產品編號 IPP091N
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 80 A (Tc)

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