IPP65R150CFDXKSA2無存貨,但提供缺貨預定。
可用替代品:

參數同等


Infineon Technologies
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單價 : NT$0.00000
規格書

參數同等


Infineon Technologies
庫存現貨: 0
單價 : NT$104.37500
規格書

參數同等


Infineon Technologies
庫存現貨: 192
單價 : NT$148.00000
規格書

直接


onsemi
庫存現貨: 0
單價 : NT$0.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 2
單價 : NT$209.00000
規格書

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庫存現貨: 0
單價 : NT$60.21500
規格書

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Vishay Siliconix
庫存現貨: 0
單價 : NT$181.00000
規格書

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庫存現貨: 1,009
單價 : NT$125.00000
規格書

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Toshiba Semiconductor and Storage
庫存現貨: 23
單價 : NT$155.00000
規格書
PG-TO220-3-1
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

IPP65R150CFDXKSA2

DigiKey 零件編號
448-IPP65R150CFDXKSA2-ND
製造商
製造商零件編號
IPP65R150CFDXKSA2
說明
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
製造商的標準前置時間
15 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 650 V 22.4 A (Tc) 195.3W (Tc) 通孔式 PG-TO220-3
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
IPP65R150CFDXKSA2 型號
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
系列
包裝
管裝
零件狀態
有源
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
150mOhm @ 9.3A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 900µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
195.3W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
通孔式
供應商元件封裝
PG-TO220-3
封裝/外殼
基礎產品編號
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管裝
數量 單價 總價
1NT$135.00000NT$135
50NT$69.02000NT$3,451
100NT$62.66000NT$6,266
500NT$51.52200NT$25,761
1,000NT$48.22000NT$48,220
製造商標準包裝
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