Name: IPW60R190C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R190C6FKSA1-ND
Price: 202 TWD
Availability: InStock

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 630µA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 63 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs (最大值) ±20V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1400 pF @ 100 V
零件狀態不適用於新設計	功率耗散 (最大值) 151W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss) 600 V	供應商元件封裝 PG-TO247-3-1
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 20.2 A (Tc)	封裝／外殼 TO-247-3
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 IPW60R190
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 190mOhm @ 9.5A、10V

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零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
STW28N60DM2	STMicroelectronics	551	497-16350-5-ND	NT$183.00000	直接
FCH170N60	onsemi	182	FCH170N60-ND	NT$237.00000	相似
FCH190N65F-F155	onsemi	381	FCH190N65F-F155-ND	NT$269.00000	相似
IXFH36N60P	IXYS	510	IXFH36N60P-ND	NT$573.00000	相似
IXFH42N60P3	IXYS	0	IXFH42N60P3-ND	NT$497.00000	相似

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