IPW65R110CFDFKSA1已停產,且不再生產。
可用替代品:

參數同等


Infineon Technologies
庫存現貨: 190
單價 : NT$295.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 810
單價 : NT$331.00000
規格書

相似


onsemi
庫存現貨: 262
單價 : NT$296.00000
規格書

相似


Vishay Siliconix
庫存現貨: 0
單價 : NT$311.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 600
單價 : NT$243.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 0
單價 : NT$190.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 458
單價 : NT$233.00000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 0
單價 : NT$274.00000
規格書
N 通道 650 V 31.2 A (Tc) 277.8W (Tc) 通孔式 PG-TO247-3-1
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

IPW65R110CFDFKSA1

DigiKey 零件編號
448-IPW65R110CFDFKSA1-ND
製造商
製造商零件編號
IPW65R110CFDFKSA1
說明
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 650 V 31.2 A (Tc) 277.8W (Tc) 通孔式 PG-TO247-3-1
規格書
 規格書
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 1.3mA
製造商
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
118 nC @ 10 V
系列
Vgs (最大值)
±20V
包裝
管裝
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3240 pF @ 100 V
零件狀態
停產
功率耗散 (最大值)
277.8W (Tc)
FET 類型
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技術
安裝類型
通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss)
650 V
供應商元件封裝
PG-TO247-3-1
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
封裝/外殼
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
基礎產品編號
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
110mOhm @ 12.7A、10V
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (8)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
IPW65R110CFDFKSA2Infineon Technologies190448-IPW65R110CFDFKSA2-NDNT$295.00000參數同等
FCH110N65F-F155onsemi810FCH110N65F-F155-NDNT$331.00000相似
FCH150N65F-F155onsemi262FCH150N65F-F155-NDNT$296.00000相似
SIHG33N65EF-GE3Vishay Siliconix0SIHG33N65EF-GE3-NDNT$311.00000相似
STW30N65M5STMicroelectronics600497-10655-5-NDNT$243.00000相似
停產
此產品已停產。 查看 替代產品。