Name: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 165 TWD
Availability: OutOfStock

N 通道 40 V 31A (Ta)、205A (Tc) 2.5W (Ta)、107W (Tc) 表面黏著式 PG-WHTFN-9-1

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IQE013N04LM6CGSCATMA1
DigiKey 零件編號	448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IQE013N04LM6CGSCATMA1
說明	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
製造商的標準前置時間	61 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 40 V 31A (Ta)、205A (Tc) 2.5W (Ta)、107W (Tc) 表面黏著式 PG-WHTFN-9-1
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IQE013N04LM6CGSCATMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 1.35mOhm @ 20A、10V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 51µA
系列 OptiMOS™ 6	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 41 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3800 pF @ 20 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 2.5W (Ta)、107W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 40 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 31A (Ta)、205A (Tc)	供應商元件封裝 PG-WHTFN-9-1
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 9-PowerWDFN