Name: IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1TR-ND
Price: 101 TWD
Availability: InStock

新產品

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
DigiKey 零件編號	448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
說明	TRENCH <= 40V
製造商的標準前置時間	26 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 25 V 54A (Ta)、422A (Tc) 2.5W (Ta)、150W (Tc) 表面黏著式 PG-TTFN-9-3
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 7
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	25 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	54A (Ta)、422A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	0.5mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1.7V @ 432µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±12V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	6100 pF @ 12 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.5W (Ta)、150W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TTFN-9-3
封裝／外殼	9-PowerTDFN