Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 49 TWD
Availability: InStock

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IRF7341TRPBFXTMA1
DigiKey 零件編號	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IRF7341TRPBFXTMA1
說明	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
製造商的標準前置時間	25 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 55V 4.7 A (Tc) 2W (Tc) 表面黏著式 PG-DSO-8-902
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IRF7341TRPBFXTMA1 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 50mOhm @ 4.7A、10V
製造商 Infineon Technologies	Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 250µA
系列 HEXFET®	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 36nC @ 10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 740pF @ 25V
零件狀態有源	功率 - 最大值 2W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
配置 2 N-通道 (雙)	安裝類型表面黏著式
FET 特點邏輯電平閘極	封裝／外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
汲極至源極電壓 (Vdss) 55V	供應商元件封裝 PG-DSO-8-902
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 4.7 A (Tc)