Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 46 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IRF7341TRPBFXTMA1
DigiKey 零件編號	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IRF7341TRPBFXTMA1
說明	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
製造商的標準前置時間	26 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 55V 4.7 A (Tc) 2W (Tc) 表面黏著式 PG-DSO-8-902
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IRF7341TRPBFXTMA1 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
技術	MOSFET (金氧)
配置	2 N-通道 (雙)
FET 特點	邏輯電平閘極
汲極至源極電壓 (Vdss)	55V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	4.7 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	50mOhm @ 4.7A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	740pF @ 25V
功率 - 最大值	2W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
供應商元件封裝	PG-DSO-8-902