IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies | 離散式半導體產品

IRF9Z34NSTRRPBF
DigiKey 零件編號	448-IRF9Z34NSTRRPBFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IRF9Z34NSTRRPBF
說明	MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 55 V 19 A (Tc) 3.8W (Ta)、68W (Tc) 表面黏著式 D2PAK
規格書	規格書

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	停產
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	55 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	19 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	100mOhm @ 10A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	620 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3.8W (Ta)、68W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	D2PAK
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	IRF9Z34