MOSFET - 陣列 40V 7.2A (Ta)、9.6A (Tc) 1.4W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 PG-DSO-8-920
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MOSFET - 陣列 40V 7.2A (Ta)、9.6A (Tc) 1.4W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 PG-DSO-8-920
Infineon OptiMOSTM Dual N+N channel and N+P channel power MOSFETs in 30 V and 40 V in SO-8 package

ISA170170N04LMDSXTMA1

DigiKey 零件編號
448-ISA170170N04LMDSXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
448-ISA170170N04LMDSXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT)
448-ISA170170N04LMDSXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商
製造商零件編號
ISA170170N04LMDSXTMA1
說明
ISA170170N04LMDSXTMA1
製造商的標準前置時間
23 週
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 40V 7.2A (Ta)、9.6A (Tc) 1.4W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 PG-DSO-8-920
規格書
 規格書
產品屬性
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類別
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
17mOhm @ 9.6A、10V
製造商
Infineon Technologies
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.7V @ 1mA
系列
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
19.5nC @ 10V
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1100pF @ 20V
零件狀態
有源
功率 - 最大值
1.4W (Ta)、2.5W (Tc)
技術
MOSFET (金氧)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置
2 N-通道 (雙)
安裝類型
表面黏著式
FET 特點
邏輯電平閘極
封裝/外殼
8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
汲極至源極電壓 (Vdss)
40V
供應商元件封裝
PG-DSO-8-920
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)、9.6A (Tc)
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
現貨: 134
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皆以 TWD 計價
切帶裝 (CT) & Digi-Reel®
數量 單價 總價
1NT$60.00000NT$60
10NT$37.70000NT$377
100NT$24.91000NT$2,491
500NT$19.43800NT$9,719
1,000NT$17.67700NT$17,677
2,000NT$16.19450NT$32,389
* 所有的 Digi-Reel 訂單會加收一筆 NT$215 捲帶費用。
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
4,000NT$14.94750NT$59,790
8,000NT$13.89938NT$111,195
12,000NT$13.36550NT$160,386
20,000NT$12.76585NT$255,317
28,000NT$12.41086NT$347,504
製造商標準包裝