MOSFET - 陣列 40V 5.9A (Ta)、7.9A (Tc) 1.4W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 PG-DSO-8-920
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MOSFET - 陣列 40V 5.9A (Ta)、7.9A (Tc) 1.4W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 PG-DSO-8-920
Infineon OptiMOSTM Dual N+N channel and N+P channel power MOSFETs in 30 V and 40 V in SO-8 package

ISA250250N04LMDSXTMA1

DigiKey 零件編號
448-ISA250250N04LMDSXTMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
448-ISA250250N04LMDSXTMA1CT-ND - 切帶裝 (CT)
448-ISA250250N04LMDSXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商
製造商零件編號
ISA250250N04LMDSXTMA1
說明
ISA250250N04LMDSXTMA1
製造商的標準前置時間
23 週
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 40V 5.9A (Ta)、7.9A (Tc) 1.4W (Ta)、2.5W (Tc) 表面黏著式 PG-DSO-8-920
規格書
 規格書
產品屬性
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類別
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
25mOhm @ 7.9A、10V
製造商
Infineon Technologies
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.7V @ 1mA
系列
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11.9nC @ 10V
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
720pF @ 20V
零件狀態
有源
功率 - 最大值
1.4W (Ta)、2.5W (Tc)
技術
MOSFET (金氧)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置
2 N-通道 (雙)
安裝類型
表面黏著式
FET 特點
邏輯電平閘極
封裝/外殼
8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
汲極至源極電壓 (Vdss)
40V
供應商元件封裝
PG-DSO-8-920
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
5.9A (Ta)、7.9A (Tc)
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
現貨: 167
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皆以 TWD 計價
切帶裝 (CT) & Digi-Reel®
數量 單價 總價
1NT$51.00000NT$51
10NT$32.20000NT$322
100NT$21.12000NT$2,112
500NT$16.36800NT$8,184
1,000NT$14.84000NT$14,840
2,000NT$13.55300NT$27,106
* 所有的 Digi-Reel 訂單會加收一筆 NT$215 捲帶費用。
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
4,000NT$12.47075NT$49,883
8,000NT$11.56088NT$92,487
12,000NT$11.09742NT$133,169
20,000NT$10.57680NT$211,536
28,000NT$10.26864NT$287,522
製造商標準包裝