Name: ISP650P06NMXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP650P06NMXTSA1TR-ND
Price: 69 TWD
Availability: InStock

ISP650P06NMXTSA1
DigiKey 零件編號	448-ISP650P06NMXTSA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-ISP650P06NMXTSA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-ISP650P06NMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	ISP650P06NMXTSA1
說明	MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
製造商的標準前置時間	48 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 60 V 3.7 A (Ta) 1.8W (Ta)、4.2W (Tc) 表面黏著式 PG-SOT223-4
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	ISP650P06NMXTSA1 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	60 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	3.7 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	65mOhm @ 3.7A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 1.037mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1600 pF @ 30 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.8W (Ta)、4.2W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-SOT223-4
封裝／外殼	TO-261-4、TO-261AA
基礎產品編號	ISP650

ISP650P06NMXTSA1