Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 82 TWD
Availability: InStock

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ISZ113N10NM5LF2ATMA1
DigiKey 零件編號	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
說明	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
製造商的標準前置時間	26 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 10 A (Ta)、63 A (Tc) 2.5W (Ta)、100W (Tc) 表面黏著式 PG-TSDSON-8 FL
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 5
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	10 A (Ta)、63 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	11.3mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3.9V @ 36µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2300 pF @ 50 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2.5W (Ta)、100W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TSDSON-8 FL
封裝／外殼	8-PowerTDFN