SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies | 單一 FET、MOSFET

SPB18P06PGATMA1
DigiKey 零件編號	SPB18P06PGATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SPB18P06PGATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) SPB18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	SPB18P06PGATMA1
說明	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 60 V 18.7 A (Ta) 81.1W (Ta) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	SIPMOS®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	停產
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	60 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	18.7 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	130mOhm @ 13.2A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	860 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	81.1W (Ta)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	汽車
資格	AEC-Q101
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO263-3
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	SPB18P06

SPB18P06PGATMA1