Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N50C3ATMA1TR-ND
Price: 198 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SPB21N50C3ATMA1
DigiKey 零件編號	SPB21N50C3ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SPB21N50C3ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) SPB21N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	SPB21N50C3ATMA1
說明	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
製造商的標準前置時間	19 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 560 V 21 A (Tc) 208W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3-2
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SPB21N50C3ATMA1 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.9V @ 1mA
製造商 Infineon Technologies	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 95 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2400 pF @ 25 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 208W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 560 V	供應商元件封裝 PG-TO263-3-2
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 21 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 SPB21N50
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 190mOhm @ 13.1A、10V

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

現貨: 2,434

查詢額外入庫貨品

數量

皆以 TWD 計價

切帶裝 (CT) & Digi-Reel®

* 所有的 Digi-Reel 訂單會加收一筆 NT$215 捲帶費用。

編帶和捲軸封裝 (TR)

製造商標準包裝

SPB21N50C3ATMA1