IXFN50N120SIC IXYS | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.4V @ 10mA
製造商 IXYS	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 100 nC @ 20 V
包裝管裝	Vgs (最大值) +20V、-5V
零件狀態停產	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1900 pF @ 1000 V
FET 類型 N 通道	工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ)
技術 SiCFET (碳化矽)	安裝類型底盤安裝式
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200 V	供應商元件封裝 SOT-227B
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 47 A (Tc)	封裝／外殼 SOT-227-4、miniBLOC
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 20V	基礎產品編號 IXFN50
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 50mOhm @ 40A、20V

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