NC1M120C75HTNG NovuSem | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 75mOhm @ 20A、20V
製造商 NovuSem	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.8V @ 5mA
系列 NC1M	Vgs (最大值) +20V、-5V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1450 pF @ 1000 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 288W (Ta)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 SiCFET (碳化矽)	安裝類型通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200 V	供應商元件封裝 TO-247-4L
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 47 A (Tc)	封裝／外殼 TO-247-4
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 20V

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NC1M120C75HTNG