PMV65XPEA215 NXP USA Inc. | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
製造商 NXP USA Inc.	Vgs (最大值) ±12V
包裝散裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 618 pF @ 10 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 480mW (Ta)、6.25W (Tc)
FET 類型 P 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	等級汽車
汲極至源極電壓 (Vdss) 20 V	資格 AEC-Q101
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 2.8 A (Ta)	安裝類型表面黏著式
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 2.5V、4.5V	供應商元件封裝 TO-236AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 78mOhm @ 2.8A、4.5V	封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.25V @ 250µA

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PMV65XPEA215