Name: FCB199N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCB199N65S3TR-ND
Price: 184 TWD
Availability: InStock

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FCB199N65S3
DigiKey 零件編號	488-FCB199N65S3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 488-FCB199N65S3CT-ND - 切帶裝 (CT) 488-FCB199N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	onsemi
製造商零件編號	FCB199N65S3
說明	MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
製造商的標準前置時間	18 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 14 A (Tc) 98W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	FCB199N65S3 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4.5V @ 1.4mA
製造商 onsemi	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 30 nC @ 10 V
系列 SuperFET® III	Vgs (最大值) ±30V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1225 pF @ 400 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 98W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 14 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 FCB199
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 199mOhm @ 7A、10V

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其他資源

替代品 (4)

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