HUF75639S3 onsemi | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA
製造商 onsemi	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 130 nC @ 20 V
系列 UltraFET™	Vgs (最大值) ±20V
包裝管裝	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2000 pF @ 25 V
零件狀態停產	功率耗散 (最大值) 200W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V	供應商元件封裝 TO-262 (I2PAK)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 56 A (Tc)	封裝／外殼 TO-262-3 長引線、I2PAK、TO-262AA
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 HUF75639
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 25mOhm @ 56A、10V

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零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
HUF75639S3ST	onsemi	0	HUF75639S3STCT-ND	NT$133.00000	建議的 MFR

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HUF75639S3