電晶體 - 雙極 (BJT) - 單 NPN - 達靈頓 100 V 2 A 25MHz 1.75 W 通孔式 IPAK
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MJD112-1G

DigiKey 零件編號
MJD112-1GOS-ND
製造商
onsemi
製造商零件編號
MJD112-1G
說明
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
製造商的標準前置時間
29 週
客戶參考號碼
詳細說明
電晶體 - 雙極 (BJT) - 單 NPN - 達靈頓 100 V 2 A 25MHz 1.75 W 通孔式 IPAK
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
MJD112-1G 型號
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
onsemi
系列
-
包裝
管裝
零件狀態
有源
電晶體類型
NPN - 達靈頓
電流 - 集極 (Ic) (最大值)
2 A
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值)
100 V
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic
3V @ 40mA、4A
電流 - 集極截止 (最大值)
20µA
DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
1000 @ 2A、3V
功率 - 最大值
1.75 W
頻率 - 轉換
25MHz
工作溫度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
通孔式
封裝／外殼
TO-251-3 短引線、IPAK、TO-251AA
供應商元件封裝
IPAK
基礎產品編號
MJD112
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75NT$23.09333NT$1,732
150NT$20.66667NT$3,100
525NT$17.21143NT$9,036
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製造商標準包裝
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