Name: MMUN2111LT3G
Brand: onsemi
SKU: MMUN2111LT3GOSTR-ND
Price: 5 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

MMUN2111LT3G
DigiKey 零件編號	MMUN2111LT3GOSTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) MMUN2111LT3GOSCT-ND - 切帶裝 (CT) MMUN2111LT3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	onsemi
製造商零件編號	MMUN2111LT3G
說明	TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
製造商的標準前置時間	44 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 單、預偏壓 PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 246 mW 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	MMUN2111LT3G 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 單一預先偏壓式雙極電晶體	電阻 - 發射器基座 (R2) 10 kOhms
製造商 onsemi	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 35 @ 5mA、10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 250mV @ 300µA、10mA
零件狀態有源	電流 - 集極截止 (最大值) 500nA
電晶體類型 PNP - 預偏壓	功率 - 最大值 246 mW
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100 mA	安裝類型表面黏著式
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50 V	封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
含電阻 R1 和 R2	供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
電阻 - 基座 (R1) 10 kOhms	基礎產品編號 MMUN2111

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (15)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
PDTA114ET,235	Nexperia USA Inc.	10,000	1727-PDTA114ET,235CT-ND	NT$4.00000	升級
DDTA114ECAQ-7-F	Diodes Incorporated	0	31-DDTA114ECAQ-7-FTR-ND	NT$1.83200	相似
DDTA123ECA-7-F	Diodes Incorporated	5,073	DDTA123ECA-FDICT-ND	NT$7.00000	相似
DTA114EKAT146	Rohm Semiconductor	79,580	DTA114EKAT146CT-ND	NT$8.00000	相似
DTA115EKAT146	Rohm Semiconductor	36,756	DTA115EKAT146CT-ND	NT$8.00000	相似