Name: MUN5314DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5314DW1T1GOSTR-ND
Price: 9 TWD
Availability: InStock

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MUN5314DW1T1G
DigiKey 零件編號	MUN5314DW1T1GOSTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) MUN5314DW1T1GOSCT-ND - 切帶裝 (CT) MUN5314DW1T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	onsemi
製造商零件編號	MUN5314DW1T1G
說明	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
製造商的標準前置時間	42 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 陣列、預偏壓 1 NPN、1 PNP - 預偏壓 (雙) 50V 100mA 250mW 表面黏著式 SC-88/SC70-6/SOT-363
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	MUN5314DW1T1G 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 預先偏壓式雙極電晶體陣列	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 80 @ 5mA、10V
製造商 onsemi	Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 250mV @ 300µA、10mA
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	電流 - 集極截止 (最大值) 500nA
零件狀態有源	功率 - 最大值 250mW
電晶體類型 1 NPN、1 PNP - 預偏壓 (雙)	安裝類型表面黏著式
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100mA	封裝／外殼 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50V	供應商元件封裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
電阻 - 基座 (R1) 10kOhm	基礎產品編號 MUN5314
電阻 - 發射器基座 (R2) 47kOhm

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替代品 (8)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
BCR35PNH6327XTSA1	Infineon Technologies	793	BCR35PNH6327XTSA1CT-ND	NT$13.00000	直接
DCX114YU-7-F	Diodes Incorporated	1,889	DCX114YU-FDICT-ND	NT$10.00000	直接
PUMD9,115	Nexperia USA Inc.	31,841	1727-5234-1-ND	NT$7.00000	直接
PUMD9,135	Nexperia USA Inc.	7,735	1727-PUMD9,135CT-ND	NT$8.00000	直接
PUMD9,165	Nexperia USA Inc.	17,260	1727-PUMD9,165CT-ND	NT$7.00000	直接