Name: NSS40300DDR2G
Brand: onsemi
SKU: NSS40300DDR2GOSTR-ND
Price: 47 TWD
Availability: InStock

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NSS40300DDR2G
DigiKey 零件編號	NSS40300DDR2GOSTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) NSS40300DDR2GOSCT-ND - 切帶裝 (CT) NSS40300DDR2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	onsemi
製造商零件編號	NSS40300DDR2G
說明	TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
製造商的標準前置時間	38 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 陣列 2 PNP (雙) 40V 3A 100MHz 653mW 表面黏著式 8-SOIC
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	NSS40300DDR2G 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 雙極電晶體陣列	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 180 @ 1A、2V
製造商 onsemi	功率 - 最大值 653mW
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	頻率 - 轉換 100MHz
零件狀態有源	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
電晶體類型 2 PNP (雙)	安裝類型表面黏著式
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 3A	封裝／外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 40V	供應商元件封裝 8-SOIC
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 170mV @ 200mA、2A	基礎產品編號 NSS40300
電流 - 集極截止 (最大值) 100 nA (ICBO)