Name: NSVMMUN2131LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVMMUN2131LT1GTR-ND
Price: 6 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

NSVMMUN2131LT1G
DigiKey 零件編號	488-NSVMMUN2131LT1GTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 488-NSVMMUN2131LT1GCT-ND - 切帶裝 (CT) 488-NSVMMUN2131LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	onsemi
製造商零件編號	NSVMMUN2131LT1G
說明	TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
製造商的標準前置時間	51 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 單、預偏壓 PNP - 預偏壓 50 V 100 mA 246 mW 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	NSVMMUN2131LT1G 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 單一預先偏壓式雙極電晶體	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 8 @ 5mA、10V
製造商 onsemi	Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 250mV @ 5mA、10mA
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	電流 - 集極截止 (最大值) 500nA
零件狀態有源	功率 - 最大值 246 mW
電晶體類型 PNP - 預偏壓	等級汽車
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100 mA	資格 AEC-Q101
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50 V	安裝類型表面黏著式
含電阻 R1 和 R2	封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
電阻 - 基座 (R1) 2.2 kOhms	供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
電阻 - 發射器基座 (R2) 2.2 kOhms	基礎產品編號 MMUN2131

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (2)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
PDTA123ET,215	Nexperia USA Inc.	10	1727-1691-1-ND	NT$5.00000	升級
PDTA123ETVL	Nexperia USA Inc.	4,327	1727-8519-1-ND	NT$5.00000	相似

現貨: 5,150

查詢額外入庫貨品

數量

皆以 TWD 計價

切帶裝 (CT) & Digi-Reel®

* 所有的 Digi-Reel 訂單會加收一筆 NT$215 捲帶費用。

編帶和捲軸封裝 (TR)

數量	單價	總價
3,000	NT$1.10633	NT$3,319
6,000	NT$0.98483	NT$5,909

製造商標準包裝

NSVMMUN2131LT1G