Name: NSVMMUN2232LT1G
Brand: onsemi
SKU: NSVMMUN2232LT1GOSTR-ND
Price: 6 TWD
Availability: InStock

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NSVMMUN2232LT1G
DigiKey 零件編號	NSVMMUN2232LT1GOSTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) NSVMMUN2232LT1GOSCT-ND - 切帶裝 (CT) NSVMMUN2232LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	onsemi
製造商零件編號	NSVMMUN2232LT1G
說明	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
製造商的標準前置時間	44 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 單、預偏壓 NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 246 mW 表面黏著式 SOT-23-3 (TO-236)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	NSVMMUN2232LT1G 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 單一預先偏壓式雙極電晶體	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 15 @ 5mA、10V
製造商 onsemi	Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 250mV @ 1mA、10mA
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	電流 - 集極截止 (最大值) 500nA
零件狀態有源	功率 - 最大值 246 mW
電晶體類型 NPN - 預偏壓	等級汽車
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100 mA	資格 AEC-Q101
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50 V	安裝類型表面黏著式
含電阻 R1 和 R2	封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
電阻 - 基座 (R1) 4.7 kOhms	供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
電阻 - 發射器基座 (R2) 4.7 kOhms	基礎產品編號 MMUN2232

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替代品 (4)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
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