Name: NSVMUN5332DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: NSVMUN5332DW1T1GOSTR-ND
Price: 10 TWD
Availability: InStock

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NSVMUN5332DW1T1G
DigiKey 零件編號	NSVMUN5332DW1T1GOSTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) NSVMUN5332DW1T1GOSCT-ND - 切帶裝 (CT) NSVMUN5332DW1T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	onsemi
製造商零件編號	NSVMUN5332DW1T1G
說明	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
製造商的標準前置時間	51 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 陣列、預偏壓 1 NPN、1 PNP - 預偏壓 (雙) 50V 100mA 250mW 表面黏著式 SC-88/SC70-6/SOT-363
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	NSVMUN5332DW1T1G 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 預先偏壓式雙極電晶體陣列	Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 250mV @ 1mA、10mA
製造商 onsemi	電流 - 集極截止 (最大值) 500nA
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	功率 - 最大值 250mW
零件狀態有源	等級汽車
電晶體類型 1 NPN、1 PNP - 預偏壓 (雙)	資格 AEC-Q101
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100mA	安裝類型表面黏著式
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50V	封裝／外殼 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
電阻 - 基座 (R1) 4.7kOhm	供應商元件封裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
電阻 - 發射器基座 (R2) 4.7kOhm	基礎產品編號 MUN5332
DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 15 @ 5mA、10V