NTB65N02RT4G onsemi | 單一 FET、MOSFET

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Nexperia USA Inc.

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 250µA
製造商 onsemi	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 9.5 nC @ 4.5 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態停產	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1330 pF @ 20 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 1.04W (Ta)、62.5W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 25 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 7.6 A (Tc)	供應商元件封裝 D2PAK
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 8.2mOhm @ 30A、10V	基礎產品編號 NTB65

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零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
PSMN4R3-30BL,118	Nexperia USA Inc.	163	1727-7116-1-ND	NT$82.00000	相似

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