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類別 | Vgs(th) (最大值) @ Id 4.4V @ 40mA |
製造商 onsemi | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 306nC @ 20V |
包裝 托盤 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6331pF @ 800V |
零件狀態 有源 | 功率 - 最大值 272W (Tj) |
技術 碳化矽 (SiC) | 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) |
配置 4 N 通道 (太陽能逆變器) | 安裝類型 底盤安裝式 |
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200V (1.2kV) | 封裝／外殼 模組 |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 91 A (Tc) | 供應商元件封裝 29-PIM (56.7x42.5) |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 16mOhm @ 70A、18V | 基礎產品編號 |
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| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$4,268.00000 | NT$4,268 |
| 20 | NT$3,440.40000 | NT$68,808 |
