Name: RFD12N06RLESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD12N06RLESM9ATR-ND
Price: 62 TWD
Availability: InStock

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RFD12N06RLESM9A
DigiKey 零件編號	RFD12N06RLESM9ATR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) RFD12N06RLESM9ACT-ND - 切帶裝 (CT) RFD12N06RLESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
製造商	onsemi
製造商零件編號	RFD12N06RLESM9A
說明	MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
製造商的標準前置時間	26 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 60 V 18 A (Tc) 49W (Tc) 表面黏著式 TO-252AA
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA
製造商 onsemi	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 15 nC @ 10 V
系列 UltraFET™	Vgs (最大值) ±16V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 485 pF @ 25 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 49W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 155°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60 V	供應商元件封裝 TO-252AA
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 18 A (Tc)	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	基礎產品編號 RFD12N06
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 63mOhm @ 18A、10V

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數量	單價	總價
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5,000	NT$14.73520	NT$73,676

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RFD12N06RLESM9A