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類別 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 630pF @ 100V |
製造商 onsemi | 電阻值 - RDS(On) 95 mOhms |
包裝 管裝 | 功率 - 最大值 190 W |
零件狀態 有源 | 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) |
FET 類型 N 通道 | 安裝類型 通孔式 |
電流 - 崩潰 (V(BR)GSS) 650 V | 封裝/外殼 TO-247-3 |
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V | 供應商元件封裝 TO-247-3 |
電流損耗 (Id) - 最大值 32 A | 基礎產品編號 |
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| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$432.00000 | NT$432 |
| 30 | NT$258.00000 | NT$7,740 |
| 120 | NT$219.94167 | NT$26,393 |
| 510 | NT$192.77451 | NT$98,315 |
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