Name: NP90N03VHG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: NP90N03VHG-E1-AY-ND
Price: 35.2924 TWD
Availability: OutOfStock

NP90N03VHG-E1-AY可購買，但非長期存貨。

可用替代品:

相似

AOD538

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

庫存現貨: 0

單價 : NT$0.00000

相似

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

庫存現貨: 198

單價 : NT$62.00000

規格書

相似

IPD031N03M G

Infineon Technologies

庫存現貨: 0

單價 : NT$18.15040

規格書

相似

IPD90N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

庫存現貨: 53,115

單價 : NT$93.00000

規格書

相似

STB155N3LH6

STMicroelectronics

庫存現貨: 0

單價 : NT$105.00000

規格書

相似

STD150N3LLH6

STMicroelectronics

庫存現貨: 0

單價 : NT$30.97200

規格書

查看並比較所有替代品

N 通道 30 V 90 A (Tc) 1.2W (Ta)、105W (Tc) 表面黏著式 TO-252

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

NP90N03VHG-E1-AY
DigiKey 零件編號	NP90N03VHG-E1-AY-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Renesas Electronics Corporation
製造商零件編號	NP90N03VHG-E1-AY
說明	MOSFET N-CH 30V 90A TO252
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 90 A (Tc) 1.2W (Ta)、105W (Tc) 表面黏著式 TO-252
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	NP90N03VHG-E1-AY 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 135 nC @ 10 V
製造商 Renesas Electronics Corporation	Vgs (最大值) ±20V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 7500 pF @ 25 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 1.2W (Ta)、105W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 175°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	等級汽車
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	資格 AEC-Q101
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 90 A (Tc)	安裝類型表面黏著式
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	供應商元件封裝 TO-252
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 3.2mOhm @ 45A、10V	封裝／外殼 TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA	基礎產品編號 NP90N03

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

替代品 (6)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
AOD538	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD538-ND	NT$0.00000	相似
IPD031N03LGATMA1	Infineon Technologies	198	IPD031N03LGATMA1CT-ND	NT$62.00000	相似
IPD031N03M G	Infineon Technologies	0	IPD031N03MGINTR-ND	NT$18.15040	相似
IPD90N03S4L02ATMA1	Infineon Technologies	53,115	IPD90N03S4L02ATMA1CT-ND	NT$93.00000	相似
STB155N3LH6	STMicroelectronics	0	497-11323-1-ND	NT$105.00000	相似