Name: RBE111N10R1SZN2#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND
Price: 59 TWD
Availability: OutOfStock

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RBA40N10EANS-5UA11#HB0

Renesas Electronics Corporation

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RBE111N10R1SZN2#HB0
DigiKey 零件編號	559-RBE111N10R1SZN2#HB0TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 559-RBE111N10R1SZN2#HB0CT-ND - 切帶裝 (CT) 559-RBE111N10R1SZN2#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Renesas Electronics Corporation
製造商零件編號	RBE111N10R1SZN2#HB0
說明	MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 100 V 40 A (Tc) 57W (Tc) 表面黏著、可沾濕測邊 μSO8-FL
規格書	規格書

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 28µA
製造商 Renesas Electronics Corporation	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 27 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1700 pF @ 50 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 57W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100 V	安裝類型表面黏著、可沾濕測邊
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 40 A (Tc)	供應商元件封裝 μSO8-FL
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 8-PowerVDFN
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 11.1mOhm @ 20A、10V