Name: TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4YS-ND
Price: 378 TWD
Availability: InStock

TP65H050G4YS
DigiKey 零件編號	1707-TP65H050G4YS-ND
製造商	Renesas Electronics Corporation
製造商零件編號	TP65H050G4YS
說明	650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 35 A (Tc) 132W (Tc) 通孔式 TO-247-4L
規格書	規格書

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Renesas Electronics Corporation
系列	SuperGaN®
包裝	管裝
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	GaNFET (氮化鎵)
汲極至源極電壓 (Vdss)	650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	35 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	60mOhm @ 22A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4.8V @ 700µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1000 pF @ 400 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	132W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	通孔式
供應商元件封裝	TO-247-4L
封裝／外殼	TO-247-4

TP65H050G4YS