Name: TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4YS-ND
Price: 373 TWD
Availability: InStock

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TP65H050G4YS
DigiKey 零件編號	1707-TP65H050G4YS-ND
製造商	Renesas Electronics Corporation
製造商零件編號	TP65H050G4YS
說明	650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 35 A (Tc) 132W (Tc) 通孔式 TO-247-4L
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 60mOhm @ 22A、10V
製造商 Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (最大值) @ Id 4.8V @ 700µA
系列 SuperGaN®	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 24 nC @ 10 V
包裝管裝	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1000 pF @ 400 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 132W (Tc)
技術 GaNFET (氮化鎵)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V	安裝類型通孔式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 35 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-247-4L
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	封裝／外殼 TO-247-4