Name: BSM180C12P2E202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180C12P2E202-ND
Price: 22942 TWD
Availability: OutOfStock

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs (最大值) +22V、-6V
製造商 Rohm Semiconductor	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 20000 pF @ 10 V
包裝托盤	功率耗散 (最大值) 1360W (Tc)
零件狀態有源	工作溫度 175°C (TJ)
FET 類型 N 通道	安裝類型底盤安裝式
技術 SiCFET (碳化矽)	供應商元件封裝模組
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200 V	封裝／外殼模組
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 204 A (Tc)	基礎產品編號 BSM180
Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 35.2mA

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BSM180C12P2E202