MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) 底盤安裝式 模組
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。
MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) 底盤安裝式 模組
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKey 零件編號
846-BSM180D12P2E002-ND
製造商
製造商零件編號
BSM180D12P2E002
說明
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
製造商的標準前置時間
27 週
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) 底盤安裝式 模組
規格書
 規格書
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 35.2mA
製造商
Rohm Semiconductor
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
18000pF @ 10V
包裝
散裝
功率 - 最大值
1360W (Tc)
零件狀態
有源
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
技術
碳化矽 (SiC)
安裝類型
底盤安裝式
配置
兩個 N 通道 (半橋)
封裝/外殼
模組
汲極至源極電壓 (Vdss)
1200V (1.2kV)
供應商元件封裝
模組
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
204 A (Tc)
基礎產品編號
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
現貨: 4
查詢額外入庫貨品
皆以 TWD 計價
散裝
數量 單價 總價
1NT$24,332.00000NT$24,332