Name: DTB113ZCT116
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: DTB113ZCT116TR-ND
Price: 10 TWD
Availability: OutOfStock

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可用替代品:

參數同等

Rohm Semiconductor

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單價 : NT$33.35000

參數同等

Diodes Incorporated

庫存現貨: 173

單價 : NT$17.27000

參數同等

Diodes Incorporated

庫存現貨: 3,000

單價 : NT$17.27000

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

DTB113ZCT116
DigiKey 零件編號	DTB113ZCT116TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) DTB113ZCT116CT-ND - 切帶裝 (CT) DTB113ZCT116DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Rohm Semiconductor
製造商零件編號	DTB113ZCT116
說明	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3
製造商的標準前置時間	13 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 單、預偏壓 PNP - 預偏壓 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面黏著式 SST3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	DTB113ZCT116 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 單一預先偏壓式雙極電晶體	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 56 @ 50mA、5V
製造商 Rohm Semiconductor	Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 300mV @ 2.5mA、50mA
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	電流 - 集極截止 (最大值) 500nA
零件狀態有源	頻率 - 轉換 200 MHz
電晶體類型 PNP - 預偏壓	功率 - 最大值 200 mW
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 500 mA	安裝類型表面黏著式
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50 V	封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
含電阻 R1 和 R2	供應商元件封裝 SST3
電阻 - 基座 (R1) 1 kOhms	基礎產品編號 DTB113
電阻 - 發射器基座 (R2) 10 kOhms

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替代品 (3)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
DTB113ZKT146	Rohm Semiconductor	11,199	DTB113ZKT146CT-ND	NT$33.35000	參數同等
DDTB113ZC-7-F	Diodes Incorporated	173	DDTB113ZC-FDICT-ND	NT$17.27000	參數同等
DDTB113ZC-7-F-W	Diodes Incorporated	3,000	31-DDTB113ZC-7-F-WCT-ND	NT$17.27000	參數同等