Name: RQ3E120BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120BNTBTR-ND
Price: 35 TWD
Availability: InStock

RQ3E120BNTB
DigiKey 零件編號	RQ3E120BNTBTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) RQ3E120BNTBCT-ND - 切帶裝 (CT) RQ3E120BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Rohm Semiconductor
製造商零件編號	RQ3E120BNTB
說明	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 12 A (Ta) 2W (Ta) 表面黏著式 8-HSMT (3.2x3)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	RQ3E120BNTB 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Rohm Semiconductor
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	12 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	9.3mOhm @ 12A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	1500 pF @ 15 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	2W (Ta)
工作溫度	150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	8-HSMT (3.2x3)
封裝／外殼	8-PowerVDFN
基礎產品編號	RQ3E120

RQ3E120BNTB