Name: RQ3E120GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120GNTBTR-ND
Price: 30 TWD
Availability: InStock

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RQ3E120GNTB
DigiKey 零件編號	RQ3E120GNTBTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) RQ3E120GNTBCT-ND - 切帶裝 (CT) RQ3E120GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Rohm Semiconductor
製造商零件編號	RQ3E120GNTB
說明	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 12 A (Ta) 2W (Ta)、16W (Tc) 表面黏著式 8-HSMT (3.2x3)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	RQ3E120GNTB 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 1mA
製造商 Rohm Semiconductor	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 nC @ 10 V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	Vgs (最大值) ±20V
零件狀態有源	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 590 pF @ 15 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 2W (Ta)、16W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	安裝類型表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 12 A (Ta)	供應商元件封裝 8-HSMT (3.2x3)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V	封裝／外殼 8-PowerVDFN
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 8.8mOhm @ 12A、10V	基礎產品編號 RQ3E120