Name: RS1E200BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200BNTBTR-ND
Price: 10.3112 TWD
Availability: OutOfStock

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RS1E200BNTB
DigiKey 零件編號	RS1E200BNTBTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) RS1E200BNTBCT-ND - 切帶裝 (CT) RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Rohm Semiconductor
製造商零件編號	RS1E200BNTB
說明	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
製造商的標準前置時間	21 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 30 V 20A (Ta)、68A (Tc) 3W (Ta)、25W (Tc) 表面黏著式 8-HSOP
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	RS1E200BNTB 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Rohm Semiconductor
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	20A (Ta)、68A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	3.9mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	3100 pF @ 15 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3W (Ta)、25W (Tc)
工作溫度	150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	8-HSOP
封裝／外殼	8-PowerTDFN
基礎產品編號	RS1E