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類型 | 說明 | 全選 |
|---|---|---|
類別 | ||
製造商 | SemiQ | |
系列 | ||
包裝 | 盒 | |
零件狀態 | 有源 | |
技術 | 碳化矽 (SiC) | |
配置 | 兩個 N 通道 (半橋) | |
FET 特點 | - | |
汲極至源極電壓 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 428A (Tc) | |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 5mOhm @ 200A、18V | |
Vgs(th) (最大值) @ Id | 4V @ 80mA | |
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 1070nC @ 18V | |
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 26900pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | 1250W (Tc) | |
工作溫度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
等級 | - | |
資格 | - | |
安裝類型 | 底盤安裝式 | |
封裝／外殼 | 模組 | |
供應商元件封裝 | - |
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | NT$5,338.00000 | NT$5,338 |
| 15 | NT$4,385.26667 | NT$65,779 |
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