Name: STB35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16357-2-ND
Price: 232 TWD
Availability: OutOfStock

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STMicroelectronics

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STB35N60DM2
DigiKey 零件編號	497-16357-2-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 497-16357-1-ND - 切帶裝 (CT) 497-16357-6-ND - Digi-Reel®
製造商	STMicroelectronics
製造商零件編號	STB35N60DM2
說明	MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
製造商的標準前置時間	18 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 600 V 28 A (Tc) 210W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	STB35N60DM2 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 5V @ 250µA
製造商 STMicroelectronics	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 54 nC @ 10 V
系列 MDmesh™ DM2	Vgs (最大值) ±25V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2400 pF @ 100 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 210W (Tc)
FET 類型 N 通道	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 600 V	供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 28 A (Tc)	封裝／外殼 TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V	基礎產品編號 STB35
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 110mOhm @ 14A、10V

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替代品 (3)

零件編號	製造商	現有數量	DigiKey 零件編號	單價	替代類型
STB37N60DM2AG	STMicroelectronics	1,145	497-16105-1-ND	NT$296.00000	參數同等
IPB60R099CPATMA1	Infineon Technologies	3,519	IPB60R099CPATMA1CT-ND	NT$283.00000	相似
IPB65R125C7ATMA1	Infineon Technologies	0	IPB65R125C7ATMA1-ND	NT$0.00000	相似

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2,000	NT$84.55400	NT$169,108

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STB35N60DM2