Name: GT40QR21(STA1,E,D
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT40QR21(STA1ED-ND
Price: 208 TWD
Availability: InStock

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GT40QR21(STA1,E,D
DigiKey 零件編號	264-GT40QR21(STA1ED-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	GT40QR21(STA1,E,D
說明	IGBT 1200V 40A TO-3P
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	IGBT 1200 V 40 A 230 W 通孔式 TO-3P (N)
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 IGBT 單一 IGBT	切換能量 -、290µJ (關)
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	輸入類型標準
包裝管裝	測試條件 280V、40A、10Ohm、20V
零件狀態有源	逆向復原時間 (trr) 600 ns
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 1200 V	工作溫度 175°C (TJ)
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 40 A	安裝類型通孔式
電流 - 集極脈衝 (Icm) 80 A	封裝／外殼 TO-3P-3、SC-65-3
Vce(on) (最大值) @ Vge、Ic 2.7V @ 15V、40A	供應商元件封裝 TO-3P (N)
功率 - 最大值 230 W	基礎產品編號 GT40QR21

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