GT50JR22(STA1,E,S)
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GT50JR22(STA1,E,S)

DigiKey 零件編號
264-GT50JR22(STA1ES)-ND
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號
GT50JR22(STA1,E,S)
說明
IGBT 600V 50A TO-3P
製造商的標準前置時間
12 週
客戶參考號碼
詳細說明
IGBT 600 V 50 A 230 W 通孔式 TO-3P (N)
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包裝
管裝
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值)
600 V
電流 - 集極 (Ic) (最大值)
50 A
電流 - 集極脈衝 (Icm)
100 A
Vce(on) (最大值) @ Vge、Ic
2.2V @ 15V、50A
功率 - 最大值
230 W
切換能量
-
輸入類型
標準
Td (開／關) @ 25°C
-
測試條件
-
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
通孔式
封裝／外殼
TO-3P-3、SC-65-3
供應商元件封裝
TO-3P (N)
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數量
皆以 TWD 計價
管裝
數量 單價 總價
1NT$213.00000NT$213
25NT$125.04000NT$3,126
100NT$104.08000NT$10,408
500NT$88.88000NT$44,440
製造商標準包裝
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