Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 257 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

GT50JR22(STA1,E,S)
DigiKey 零件編號	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	GT50JR22(STA1,E,S)
說明	IGBT 600V 50A TO-3P
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	IGBT 600 V 50 A 230 W 通孔式 TO-3P (N)
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 IGBT 單一 IGBT	Vce(on) (最大值) @ Vge、Ic 2.2V @ 15V、50A
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	功率 - 最大值 230 W
包裝管裝	輸入類型標準
零件狀態有源	工作溫度 175°C (TJ)
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 600 V	安裝類型通孔式
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 50 A	封裝／外殼 TO-3P-3、SC-65-3
電流 - 集極脈衝 (Icm) 100 A	供應商元件封裝 TO-3P (N)