Name: HN1C01F-GR(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN1C01F-GR(TE85LFTR-ND
Price: 11 TWD
Availability: InStock

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HN1C01F-GR(TE85L,F
DigiKey 零件編號	HN1C01F-GR(TE85LFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) HN1C01F-GR(TE85LFCT-ND - 切帶裝 (CT) HN1C01F-GR(TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	HN1C01F-GR(TE85L,F
說明	TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
製造商的標準前置時間	52 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 陣列 2 NPN (雙) 50V 150mA 800MHz 300mW 表面黏著式 SM6
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	HN1C01F-GR(TE85L,F 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 雙極電晶體陣列	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 120 @ 2mA、6V
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	功率 - 最大值 300mW
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	頻率 - 轉換 800MHz
零件狀態有源	工作溫度 125°C (TJ)
電晶體類型 2 NPN (雙)	安裝類型表面黏著式
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 150mA	封裝／外殼 SC-74、SOT-457
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50V	供應商元件封裝 SM6
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 250mV @ 10mA、100mA	基礎產品編號 HN1C01
電流 - 集極截止 (最大值) 100 nA (ICBO)