Name: HN4A06J(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4A06J(TE85LF)TR-ND
Price: 20 TWD
Availability: InStock

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HN4A06J(TE85L,F)
DigiKey 零件編號	HN4A06J(TE85LF)TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) HN4A06J(TE85LF)CT-ND - 切帶裝 (CT) HN4A06J(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	HN4A06J(TE85L,F)
說明	TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
製造商的標準前置時間	52 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 陣列雙 PNP 匹配、共射極 120V 100mA 100MHz 300mW 表面黏著式 SMV
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	HN4A06J(TE85L,F) 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 雙極電晶體陣列	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 200 @ 2mA、6V
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	功率 - 最大值 300mW
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	頻率 - 轉換 100MHz
零件狀態有源	工作溫度 150°C (TJ)
電晶體類型雙 PNP 匹配、共射極	安裝類型表面黏著式
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100mA	封裝／外殼 SC-74A、SOT-753
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 120V	供應商元件封裝 SMV
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 300mV @ 1mA、10mA	基礎產品編號 HN4A06
電流 - 集極截止 (最大值) 100 nA (ICBO)