Name: RN1106MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFVL3FTR-ND
Price: 5 TWD
Availability: InStock

RN1106MFV,L3F
DigiKey 零件編號	RN1106MFVL3FTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) RN1106MFVL3FCT-ND - 切帶裝 (CT) RN1106MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	RN1106MFV,L3F
說明	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
製造商的標準前置時間	42 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 單、預偏壓 NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 150 mW 表面黏著式 VESM
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	RN1106MFV,L3F 型號

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 單一預先偏壓式雙極電晶體
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
電晶體類型	NPN - 預偏壓
電流 - 集極 (Ic) (最大值)	100 mA
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值)	50 V
含電阻	R1 和 R2
電阻 - 基座 (R1)	4.7 kOhms
電阻 - 發射器基座 (R2)	47 kOhms
DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce	80 @ 10mA、5V
Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic	300mV @ 500µA、5mA
電流 - 集極截止 (最大值)	500nA
功率 - 最大值	150 mW
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	SOT-723
供應商元件封裝	VESM
基礎產品編號	RN1106

RN1106MFV,L3F