Name: RN1117MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN1117MFV,L3FTR-ND
Price: 6 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

RN1117MFV,L3F
DigiKey 零件編號	264-RN1117MFV,L3FTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-RN1117MFV,L3FCT-ND - 切帶裝 (CT) 264-RN1117MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	RN1117MFV,L3F
說明	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	電晶體 - 雙極 (BJT) - 單、預偏壓 NPN - 預偏壓 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面黏著式 VESM
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	RN1117MFV,L3F 型號

產品屬性

篩選類似產品

顯示空屬性

類別離散式半導體產品電晶體雙極 (BJT) 單一預先偏壓式雙極電晶體	DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 30 @ 10mA、5V
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	Vce 飽和 (最大值) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA、5mA
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	電流 - 集極截止 (最大值) 500nA
零件狀態有源	頻率 - 轉換 250 MHz
電晶體類型 NPN - 預偏壓	功率 - 最大值 150 mW
電流 - 集極 (Ic) (最大值) 100 mA	安裝類型表面黏著式
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值) 50 V	封裝／外殼 SOT-723
含電阻 R1 和 R2	供應商元件封裝 VESM
電阻 - 基座 (R1) 10 kOhms	基礎產品編號 RN1117
電阻 - 發射器基座 (R2) 4.7 kOhms

回報錯誤的產品資訊

文件與媒體

環境和出口規範分類

其他資源

現貨: 7,966

查詢額外入庫貨品

數量

皆以 TWD 計價

切帶裝 (CT) & Digi-Reel®

* 所有的 Digi-Reel 訂單會加收一筆 NT$215 捲帶費用。

編帶和捲軸封裝 (TR)

製造商標準包裝

RN1117MFV,L3F