Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 18 TWD
Availability: OutOfStock

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可用替代品:

參數同等

Toshiba Semiconductor and Storage

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單價 : NT$18.00000

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SSM6J212FE,LF
DigiKey 零件編號	SSM6J212FELFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SSM6J212FELFCT-ND - 切帶裝 (CT) SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	SSM6J212FE,LF
說明	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 ES6
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SSM6J212FE,LF 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	20 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	4 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	1.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	40.7mOhm @ 3A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)	±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	970 pF @ 10 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	500mW (Ta)
工作溫度	150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	ES6
封裝／外殼	SOT-563、SOT-666
基礎產品編號	SSM6J212