Name: SSM6J214FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J214FE(TE85LFTR-ND
Price: 16 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SSM6J214FE(TE85L,F
DigiKey 零件編號	SSM6J214FE(TE85LFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SSM6J214FE(TE85LFCT-ND - 切帶裝 (CT) SSM6J214FE(TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	SSM6J214FE(TE85L,F
說明	MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 30 V 3.6 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 ES6
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SSM6J214FE(TE85L,F 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	3.6 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	1.8V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	50mOhm @ 3A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1.2V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	7.9 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)	±12V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	560 pF @ 15 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	500mW (Ta)
工作溫度	150°C
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	ES6
封裝／外殼	SOT-563、SOT-666
基礎產品編號	SSM6J214

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