Name: SSM6J214FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J214FE(TE85LFTR-ND
Price: 20 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SSM6J214FE(TE85L,F
DigiKey 零件編號	SSM6J214FE(TE85LFTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SSM6J214FE(TE85LFCT-ND - 切帶裝 (CT) SSM6J214FE(TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	SSM6J214FE(TE85L,F
說明	MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
製造商的標準前置時間	12 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 30 V 3.6 A (Ta) 500mW (Ta) 表面黏著式 ES6
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SSM6J214FE(TE85L,F 型號

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Vgs(th) (最大值) @ Id 1.2V @ 1mA
製造商 Toshiba Semiconductor and Storage	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 7.9 nC @ 4.5 V
系列 U-MOSVI	Vgs (最大值) ±12V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 560 pF @ 15 V
零件狀態有源	功率耗散 (最大值) 500mW (Ta)
FET 類型 P 通道	工作溫度 150°C
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 30 V	供應商元件封裝 ES6
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 3.6 A (Ta)	封裝／外殼 SOT-563、SOT-666
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 1.8V、10V	基礎產品編號 SSM6J214
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 50mOhm @ 3A、10V