Name: TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ10S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 61 TWD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

TJ10S04M3L(T6L1,NQ
DigiKey 零件編號	264-TJ10S04M3L(T6L1,NQTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 264-TJ10S04M3L(T6L1,NQCT-ND - 切帶裝 (CT) 264-TJ10S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
製造商零件編號	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
說明	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
製造商的標準前置時間	16 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 40 V 10 A (Ta) 27W (Tc) 表面黏著式 DPAK+
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	TJ10S04M3L(T6L1,NQ 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	40 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	10 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	6V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	44mOhm @ 5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	+10V、-20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	930 pF @ 10 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	27W (Tc)
工作溫度	175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	DPAK+
封裝／外殼	TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
基礎產品編號	TJ10S04